![[오늘의 운세] 6월 11일](https://pds.joongang.co.kr/news/component/htmlphoto_mmdata/202406/11/9866f29c-fc4e-4fd9-ad4a-3d0a95d53514.jpg.thumb.jpg/_ir_432x244_/aa.jpg)
![[단독] '북∙중 밀월 징표' 김정은 발자국 동판, 중국서 사라졌다](https://pds.joongang.co.kr/news/component/htmlphoto_mmdata/202406/11/aec0e028-3f86-4f76-8027-a194ab480f86.jpg.thumb.jpg/_ir_432x244_/aa.jpg)
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삼성전자, 288메가 램버스 D램 세계 첫개발 …양산나서
삼성전자는 차세대 초고속 메모리 반도체인 2백88M 다이렉트 램버스 D램의 개발에 성공, 세계 최초로 양산에 나선다고 3일 발표했다. 2백88M 램버스 D램은 머리카락 두께(1백㎛
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삼성전자, 288메가 램버스 D램 세계 첫개발 …양산나서
삼성전자는 차세대 초고속 메모리 반도체인 2백88M 다이렉트 램버스 D램의 개발에 성공, 세계 최초로 양산에 나선다고 3일 발표했다. 2백88M 램버스 D램은 머리카락 두께(1백㎛
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삼성전자, 288M 초고속 램버스 D램 양산
삼성전자는 차세대 고속 메모리 반도체중 하나인288M 다이렉트 램버스 D램 개발에 성공, 기존의 싱크로너스 D램을 대체할 고속 반도체 양산에 나서게 됐다고 3일 밝혔다. 288M
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삼성전자, 288M 초고속 램버스 D램 양산
삼성전자는 차세대 고속 메모리 반도체중 하나인288M 다이렉트 램버스 D램 개발에 성공, 기존의 싱크로너스 D램을 대체할 고속 반도체 양산에 나서게 됐다고 3일 밝혔다. 288M
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삼성전자, 288M 초고속 램버스 D램 양산
삼성전자는 차세대 고속 메모리 반도체중 하나인288M 다이렉트 램버스 D램 개발에 성공, 기존의 싱크로너스 D램을 대체할 고속 반도체 양산에 나서게 됐다고 3일 밝혔다. 288M
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삼성, 반도체 전 분야에 공격적 투자
삼성전자는 메모리와 비메모리(시스템 LSI) , LCD(액정표시장치) 등 반도체 전분야에 걸친 공격적 투자에 나서기로 했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이에 따라 40만평 규모의
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삼성, 반도체 전 분야에 공격적 투자
삼성전자는 메모리와 비메모리(시스템 LSI), LCD(액정표시장치) 등 반도체 전분야에 걸친 공격적 투자에 나서기로 했다고 16일 밝혔다. 삼성전자는 이에 따라 40만평 규모의 기
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해외파 과학자 활약 두드러져
밀레니엄을 마감하는 1999년은 과학.기술계에 있어 해외파 젊은 과학자의 활약이 두드러진 한 해로 기억될 것 같다. 올해에는 과학분야에서 연구업적을 세계적으로 인정받을 수 있는 무
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현대전자, 반도체 신공정 기술 개발
현대전자는 차세대 메모리 반도체 소자 제조의 핵심 기술중 탄탈륨 질산화(TaON) 막을 이용한 공정 기술을 최초로 개발했다고 25일밝혔다. 탄탈륨 질산화 막 제조 공정 기술은 25
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현대전자, 반도체 신공정 기술 개발
현대전자는 차세대 메모리 반도체 소자 제조의 핵심 기술중 탄탈륨 질산화(TaON) 막을 이용한 공정 기술을 최초로 개발했다고 25일밝혔다. 탄탈륨 질산화 막 제조 공정 기술은 25
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현대전자, 반도체 신공정 기술 개발
현대전자는 차세대 메모리 반도체 소자 제조의 핵심 기술중 탄탈륨 질산화(TaON) 막을 이용한 공정 기술을 최초로 개발했다고 25일밝혔다. 탄탈륨 질산화 막 제조 공정 기술은 25
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현대전자 2백56메가 싱크로너스 D램 내년부터 상용화
현대전자가 반도체 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 이용해 2세대 2백56메가 싱크로너스 D램(사진)의 상용제품을 개발했다. 이 제품은 2백자 원고지 8만4천장에 달
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현대전자 2백56메가 싱크로너스 D램 내년부터 상용화
현대전자가 반도체 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 이용해 2세대 2백56메가 싱크로너스 D램(사진)의 상용제품을 개발했다. 이 제품은 2백자 원고지 8만4천장에 달
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현대전자 2백56메가 싱크로너스 D램 내년부터 상용화
현대전자가 반도체 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 이용해 2세대 2백56메가 싱크로너스 D램(사진)의 상용제품을 개발했다. 이 제품은 2백자 원고지 8만4천장에 달
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현대전자, 0.15㎛ 공정 256메가D램 개발
현대전자는 세계 처음으로 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 적용, 데이터 처리속도 166㎒의 초고속 2세대 256메가 싱크로너스 D램 상용 제품을 개발했다고 8일 발
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현대전자, 0.15㎛ 공정 256메가D램 개발
현대전자는 세계 처음으로 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 적용, 데이터 처리속도 166㎒의 초고속 2세대 256메가 싱크로너스 D램 상용 제품을 개발했다고 8일 발
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현대전자, 0.15㎛ 공정 256메가D램 개발
현대전자는 세계 처음으로 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 초미세 공정기술을 적용, 데이터 처리속도 166㎒의 초고속 2세대 256메가 싱크로너스 D램 상용 제품을 개발했다고 8일 발
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현대전자, '무리한 시장점유율 경쟁 않겠다'
현대전자 김영환 사장은 14일 "반도체시장에서 무리하게 점유율을 확대할 생각은 없으며 기존 생산시설을 최대한 활용, 수익성을 높이는데 주력할 것"이라고 밝혔다. 김 사장은 또한 "
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삼성전자, 1기가 플래시메모리 시제품 첫 개발
삼성전자는 1기가 플래시 메모리 반도체 시제품을 업계 처음으로 개발하는데 성공했다고 13일 밝혔다. 전원이 꺼져도 기억된 정보가 지워지지 않는 점이 특징인 플래시 메모리는 인터넷
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삼성전자, 1기가 플래시메모리 시제품 첫 개발
삼성전자는 1기가 플래시 메모리 반도체 시제품을 업계 처음으로 개발하는데 성공했다고 13일 밝혔다. 전원이 꺼져도 기억된 정보가 지워지지 않는 점이 특징인 플래시 메모리는 인터넷
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[커버스토리]차세대 반도체 또 한발 앞섰다
'가늘게, 더 가늘게…' . 반도체 기술의 핵심은 한마디로 반도체내의 회로 굵기를 보다 미세하게 만드는 것이다. 그래야 반도체의 집적도가 높아지며 원가도 줄여 갈수록 치열해지는 세
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팥알만한 자동차.쌀알만한 로봇 마이크로머신 연구 본격화
팥알만한 자동차와 쌀알만한 로봇. 미국.일본 등 선진국에서 개발된 마이크로머신의 실례다.미크론(㎛=1천분의1㎜)단위의 초정밀 가공기술의 산물인 마이크로머신은 인체내 환부에 투입,원
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LG정보,0.5미크론 주문형반도체 개발
LG반도체(대표 文程煥)는 22일 국내 최초로 회로선폭 0. 5미크론의 주문형반도체(ASIC.사진)설계.제조기술을 개발,상용화하는데 성공했다고 발표했다. 새로 개발된 기술은 내부
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캐시디 USTR보좌관
-세계무역기구(WTO)가 출범한 만큼 국제무역분쟁은 미국 국내법인 슈퍼 301조등으로 일방 처리하지 않고 WTO의 분쟁조정기구에 맡겨야 하지않나. ▲301조는 미국 기업들이 제3국
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![[오늘의 운세] 6월 11일](https://pds.joongang.co.kr/news/component/htmlphoto_mmdata/202406/11/9866f29c-fc4e-4fd9-ad4a-3d0a95d53514.jpg.thumb.jpg/_ir_144x144_/aa.jpg)
![[단독] '북∙중 밀월 징표' 김정은 발자국 동판, 중국서 사라졌다](https://pds.joongang.co.kr/news/component/htmlphoto_mmdata/202406/11/aec0e028-3f86-4f76-8027-a194ab480f86.jpg.thumb.jpg/_ir_144x144_/aa.jpg)
