4기가D램 핵심 제조기술이 국내 기술진에 의해 개발됐다.
차세대 반도체 연구개발사업단 (단장 朴榮俊 서울대 반도체공동연구소장) 은 21일 과기처에서 연구성과 설명회를 갖고 반도체에 0.15㎛ 선폭 (線幅) 으로 회로를 새길 수 있는 기술을 최근 개발했다고 밝혔다.
차세대반도체 연구개발사업단은 삼성전자.LG반도체.현대전자 등 반도체 3사와 한국전자통신연구원.서울대 등이 컨소시엄을 이룬 연구개발단체다.
0.15㎛급 선폭 기술은 지금까지 국내에서 개발된 가장 미세한 반도체 성형기술로 관련 적층 (積層) 기술만 뒤따를 경우 바로 4기가D램 제작에 착수할 수 있을 것으로 보인다.
4기가D램은 신문 3만쪽 (약 3년분) 분량의 정보를 담을 수 있는 기억용량으로 세계적으로 아직 시제품이 개발되지 않았다.
朴단장은 "당초 1기가 D램 개발을 목표로 했으나 지난해 예상보다 일찍 이를 달성, 추가 연구를 한 결과 4기가 D램 제조핵심기술을 확보하게 됐다" 고 말했다.
사업단은 이번 연구에서 반도체 미세성형의 핵심장비인 '아르곤 불소 광학설계 시스템' 도 개발했다고 밝혔다.
김창엽 기자
