SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년부터 D램 생산을 시작했다. 당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 했다고 한다. 팹은 반도체 공장을 일컫는 용어다.
반도체 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해지자 SK하이닉스는 2017년 6월부터 이달까지 총 9500억원을 들여 추가로 반도체 생산 공간(클린 룸)을 확보했다. 강영수 SK하이닉스 우시팹담당 전무는 “C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “C2F는 기존 C2 공장과 ‘원 팹(One FAB)’으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산ㆍ운영 효율을 극대화할 것”이라고 말했다.
한 업계 관계자는 "이번 증설로 우시 공장의 D램 생산 능력은 웨이퍼 기준 기존 월 12만장 수준에서 18만장 수준으로 늘어날 것"이라며 "이에 따라 하이닉스의 D램 사업에서 중국 생산 라인이 차지하는 비중은 약 40~50%에 이를 것"이라고 말했다.
김영민 기자 bradkim@joongang.co.kr