이재용 부회장은 세계 최초를 목표로 하는 3나노미터 공정 기술 관련 보고를 받기 위해 화성사업장 내 연구소를 찾아 젊은 직원들과 인사한 뒤 실내로 들어가고 있다. [사진 삼성전자]
새해 첫 경영 행보, 세계 최초 목표 삼은 ‘3나노 반도체’
이날 오전 서울 소공동 대한상공회의소에서 열린 정부 신년합동 인사회에 참석했던 이재용 부회장은 곧장 화성사업장으로 이동했다. 정부 신년회 때 맸던 넥타이는 화성 사업장에 도착해선 풀었다.
이날 이 부회장이 보고받은 차세대 3나노 반도체 공정은 삼성의 반도체 위탁생산(파운드리) 공정에서 가장 먼저 쓰일 예정이다. 파운드리는 비메모리 분야의 한 축으로, 내년 하반기까지 3나노 칩을 세계 최초 양산한다는 것이 삼성의 목표다. 파운드리 세계 1위 업체인 대만 TSMC와 비교해 삼성전자가 내세우고 있는 극자외선(EUV) 공정을 이용해 7나노 이하 미세공정에서 시장 점유율을 높이겠다는 계획이다.
삼성전자의 최신 3나노 공정에는 이전 공정과 달리 차세대 기술인 ‘GAA(Gate-All-Around)’가 적용된다. 7나노·5나노 대비 차이점이다. GAA 구조는 게이트(Gate·보라색 부분)가 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel·회색 부분) 4면 전체를 둘러싸고 있다. 총 3면을 감싸는 현재 ‘지느러미(핀펫)’ 구조 대비 전류 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있어 더 미세한 반도체를 만들 수 있다.
GAA구조(오른쪽)는 게이트(Gateㆍ보라색 부분)가 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channelㆍ회색) 4면 전체를 둘러싸고 있다. 총 3면을 감싸는 지느러미(핀펫) 구조 대비 전류 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있다고 한다. [자료 삼성전자]
“잘못된 과거 관행 과감히 폐기해야”
이재용(오른쪽 둘째) 삼성전자 부회장과 정의선(왼쪽) 현대자동차 수석부회장이 2일 오전 서울 소공동 대한상공회의소에서 열린 '정부 신년합동 인사회'에서 만나 대화하고 있다. [청와대사진기자단]
김영민 기자 bradkim@joongang.co.kr