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삼성전자 “2027년 1.4나노 양산”

중앙일보

입력

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경제 03면

삼성전자가 2027년 1.4나노미터(㎚·1나노=10억 분의 1m) 공정을 적용한 파운드리(반도체 위탁생산) 양산을 선언했다. 지난 6월 3나노를 시작으로 기술 혁신을 통해 전 세계 파운드리 1위인 대만 TSMC를 따라잡겠다는 행보를 본격화한 것이다.

삼성전자는 3일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’를 열고 향후 파운드리 사업 로드맵과 신기술 적용 계획을 공개했다. 코로나19 여파로 3년 만에 오프라인에서 열린 이번 행사에는 팹리스(반도체 설계 전문기업)와 협력사 등에서 500여 명이 참석했다.

그래픽=박경민 기자 minn@joongang.co.kr

그래픽=박경민 기자 minn@joongang.co.kr

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 “게이트 올 어라운드(GAA·Gate All Around) 기반의 공정 기술 혁신을 지속해 2025년에는 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 도입할 계획”이라고 밝혔다. GAA는 반도체 내부에서 전류 흐름을 제어하는 트랜지스터의 효율을 높이는 차세대 공정이다. 기존 ‘핀펫(FinFET)’ 공정보다 전류가 흐르는 통로가 많아져 더 많은 데이터를 빨리 전달할 수 있다.

삼성전자는 지난 6월 세계 최초로 3나노 공정 양산을 시작했다. 공정 혁신으로 2나노 등 신규 반도체 양산 계획을 밝힌 적은 있지만 1.4나노까지의 로드맵을 공개한 건 이번이 처음이다. 삼성에 이어 3나노 공정 양산을 시작하는 TSMC는 2027년 이후 1.4나노 공정 도입이 가능할 전망이다. 이날 삼성전자의 발표는 TSMC와의 첨단 미세공정 경쟁에서 한발 앞서갈 수 있다는 점에서 의미가 있다. 이와 함께 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상으로 키워나가겠다는 목표도 내놨다. 구체적으로 고성능 컴퓨팅(HPC·High Performance Computing)과 오토모티브(차량용) 반도체, 사물인터넷(IoT) 등 제품의 포트폴리오를 확대하겠다는 것이다.

4나노 공정을 HPC와 오토모티브로 확대하고, 임베디드 비휘발성 메모리(eNVM)와 무선주파수(RF)에도 다양한 공정을 개발해 나갈 예정이다. 현재 양산 중인 28나노 차량용 eNVM 솔루션은 2024년에는 14나노로 확대하고, RF 공정은 8나노에 이어 5나노도 개발 중이다.

또 5년 내에 선단 공정 생산능력을 올해 대비 3배 이상 늘릴 예정이다. 이를 위해 현재 건설 중인 미국 텍사스주 테일러시 파운드리 공장 2라인을 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 방식으로 지을 예정이다. 쉘 퍼스트는 반도체를 생산하는 클린룸(먼지나 세균이 없는 반도체 시설)을 먼저 건설하고 고객의 주문이 들어오면 설비를 투입해 대응하는 방식이다. 고객 맞춤형 서비스도 확대한다. 삼성전자는 신속한 납기와 가격 경쟁력을 갖춘 맞춤형 서비스를 강화해 새로운 팹리스 고객을 발굴하는 한편, 대규모 데이터센터 운영 기업인 ‘하이퍼스케일러’, 스타트업 등 신규 고객도 적극적으로 유치할 예정이다.

최시영 사장은 “고객의 성공이 삼성전자 파운드리 사업부의 존재 이유”라며 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”고 말했다. 삼성전자는 이날 파운드리포럼을 시작으로 4일에는 고객지원 프로그램인 ‘SAFE포럼’, 5일 신기술을 소개하는 ‘테크데이’를 개최한다. 파운드리포럼은 미국을 시작으로 유럽(7일, 독일 뮌헨), 일본(18일, 일본 도쿄), 한국(20일, 서울)에서 순차적으로 열린다.

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