“현존 최고속도·최대용량 D램”…SK하이닉스, ‘HBM3’ 개발

SK하이닉스가 개발한 HBM3 D램. [사진 SK하이닉스]

SK하이닉스가 현존 최고 사양의 D램인 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. 지난해 7월 업계 최초로 HBM2의 확장 버전인 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년3개월 만이다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 빠르게 한 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM, HBM2, HBM2E에 이어 4세대로 불린다. SK하이닉스 측은 “HBM3 개발로 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현했으며 품질 수준을 크게 높였다”고 강조했다.

HBM3는 초당 819기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. SK하이닉스 측은 5GB 용량의 초고화질(FHD)급 영화 163편에 해당하는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이라고 설명했다. 이전 세대인 HBM2E와 비교해 약 78% 빨라졌다. 또 내장된 오류 정정 코드로 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터 오류를 스스로 보정할 수 있다.

HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시된다. 24GB는 업계 최대 용량이다. SK하이닉스 측은 “24GB를 구현하기 위해 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 30마이크로미터(μm) 높이로 갈아낸 뒤 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다”고 설명했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩을 수직으로 관통하는 전극으로 칩끼리 연결하는 기술이다.

HBM3는 고성능 데이터 센터에 탑재되거나 기후변화 해석, 신약 개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터와 인공지능(AI) 머신러닝 등에 활용될 전망이다.

차선용 SK하이닉스 부사장은 “세계 최초로 HBM D램을 출시해 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장을 선도하면서 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에 부합하는 제품으로 고객에게 높은 가치를 제공하겠다”고 말했다.

최은경 기자 choi.eunkyung@joongang.co.kr