삼성, 내년에도 '하위 D램→이미지센서' 공정 전환

중앙일보

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김영민 기자

삼성은 올 9월 개별 화소 크기를 0.7마이크로미터까지 줄인 이미지센서 4종을 공개했다. [사진 삼성전자]

삼성이 내년에도 메모리 D램 라인 일부를 이미지 센서로 전환하는 등 시스템반도체(비메모리) 사업을 확대한다. 이미지 센서 세계 1위인 소니와의 격차를 줄이기 위한 전략이다. 이미지 센서는 카메라 렌즈로 들어온 빛을 디지털 신호로 바꿔 이미지로 만드는 반도체다. 주로 스마트폰에 들어가는데 최근 자율주행차, 스마트공장 등으로 적용 범위가 넓어지고 있다.

1억화소 센서 등 중국 수요 높아, 증산 필요

20일 부품 업계에 따르면 박용인 삼성전자 시스템LSI사업부 전략마케팅팀장(부사장)은 한 비공개 질의응답에서 “내년에 D램 팹(공장) 한 곳에서 라인이 이미지 센서로 바뀐다. 1억800만 화소를 비롯해 고해상도 이미지센서에 대해 중국 고객 수요가 늘어나는 데 반해 삼성의 생산능력은 이를 모두 맞춰주기 어렵기 때문“이라고 답했다. 최근 들어 일부 라인이 이미지센서로 전환된 화성 공장 11라인의 나머지 D램 시설이 내년에 이미지센서 용도로 바뀔 전망이다.

박 부사장은 삼성전자의 비메모리 설계·개발 부문인 시스템LSI사업부에서 센서사업팀장을 맡다가 최근 인사에서 전략마케팅팀장으로 이동했다. 삼성의 3개 반도체 사업부(메모리·시스템LSI·파운드리)에서 전략마케팅팀장은 기업 간 거래(B2B) 등 각종 영업활동을 책임지는 자리다. 부품 업계에서 향후 삼성이 센서 사업에 더 힘을 쏟을 것으로 판단하는 이유다.

삼성전자가 D램 라인을 비메모리로 전환하는 이유는 평택 공장에서 대규모로 신규 D램 생산 시설을 짓고 있기 때문이다. 평택 공장에선 극자외선(EUV) 공정을 적용한 4세대 10나노급(1a) D램을 내년부터 양산한다. D램 생산 능력이 대거 늘어나기 때문에 20나노 이상급 D램을 만들었던 화성 11라인은 라인 효율화 차원에서 이미지센서로 용도로 바뀌게 된다.

센서 사업도 D램처럼 키우려는 삼성

D램 미세공정 기술에 일가견이 있는 삼성은 비메모리에서도 이미지 센서, 반도체 위탁생산(파운드리) 위주로 점유율 확대를 꾀하고 있다. D램과 마찬가지로 미세공정을 통해 경쟁력을 확보할 수 있는 분야이기 때문이다. 삼성은 올해 개별 화소 단위를 0.7마이크로미터(㎛·100만분의 1m)까지 줄인 이미지센서도 내놨다. 지난해 세계에서 처음으로 1억800만 화소 센서를 개발하는 등 해상도 수에선 소니(6400만 화소)를 앞섰다.